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High Power Figure-of-Merit, 10.6-kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode with Single Channel and Sub-100-µm Anode-to-Cathode Spacin

Ru Xu,Peng Chen,Jing Zhou,Yimeng Li,Yuyin Li,Tinggang Zhu,Kai Cheng,Dunjun Chen,Zili Xie,Jiandong Ye,Bin Liu,Xiangqian Xiu,Ping Han,Yi Shi,Rong Zhang,Youdou Zheng

封面设计 | First Published: 2022-09-15

原文链接

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202270199

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